一．半导体二（èr）极管（guǎn）的分（fèn）类（lèi）

半导体二极管按其用途可分为（wéi）：普（pǔ）通二（èr）极管（guǎn）和特殊二极（jí）管。普通（tōng）二极管包括整流二极管（guǎn）、检波二极管、稳（wěn）压二极管、开关二极管、快速二极管等；特殊二（èr）极管包括变容二极管（guǎn）、发光二极管、隧道二极管（guǎn）、触发二极管（guǎn）等（děng）。

二.半导体（tǐ）二（èr）极（jí）管的主要参数

1．反向饱和漏电（diàn）流IR

指在二极管（guǎn）两端（duān）加入（rù）反向电压时（shí），流过二极管的电流，该电（diàn）流（liú）与半导体材料（liào）和温度有（yǒu）关。在常温下，硅管（guǎn）的IR为纳（nà）安（10-9A）级，锗管的IR为微（wēi）安（10-6A）级。

2．额定整流电流（liú）IF

指二极管长（zhǎng）期（qī）运行时，根据允许温升折算出来的平均（jun1）电流值。目前（qián）大功率整流二极管（guǎn）的IF值（zhí）可达1000A。

3. 最大平均整（zhěng）流（liú）电（diàn）流IO 

在半波（bō）整流电路中，流过（guò）负载电阻的平均整（zhěng）流电（diàn）流的最大值。这是设计时（shí）非常重要的（de）值。

4. 最大浪（làng）涌电流（liú）IFSM

允许流过（guò）的（de）过量的正向电流。它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。

5．最（zuì）大反向峰值电（diàn）压VRM

即使没（méi）有反向（xiàng）电流，只要不断（duàn）地提（tí）高反（fǎn）向电（diàn）压（yā），迟早会使二极管损坏。这种能加上（shàng）的反（fǎn）向电（diàn）压，不是瞬时电压（yā），而是反复加上的正反（fǎn）向（xiàng）电压。因给（gěi）整流（liú）器加的是交（jiāo）流电压，它的（de）最大值是规定（dìng）的重要因子（zǐ）。最（zuì）大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的最大反（fǎn）向电（diàn）压。目前（qián）最（zuì）高的VRM值可达几千伏。

6. 最（zuì）大直流反向电压（yā）VR

上述最（zuì）大反向峰值电压（yā）是（shì）反复（fù）加上（shàng）的峰值电压，VR是连续（xù）加直流电压时的值。用于直（zhí）流（liú）电路，最大直流反向电压对于确定允许值和（hé）上限（xiàn）值是很重要的.

7．最高工作（zuò）频率fM

由于PN结（jié）的（de）结电容存在（zài），当工作（zuò）频率超过某一值时，它的单向导（dǎo）电性将变差。点（diǎn）接触式（shì）二极管的fM值较高，在（zài）100MHz以上；整流二极（jí）管的fM较低，一般不高（gāo）于几千赫。

8．反向恢（huī）复时间Trr

当工作电压从正向电压变（biàn）成（chéng）反向电压时（shí），二极管工作（zuò）的理想情况（kuàng）是电（diàn）流（liú）能瞬时截止。实（shí）际上，一般（bān）要延（yán）迟一点（diǎn）点（diǎn）时间（jiān）。决定电（diàn）流截止（zhǐ）延时的量，就是反向恢复时间。虽（suī）然它直接（jiē）影响（xiǎng）二极管的开关速度，但不一定说这个值小（xiǎo）就好（hǎo）。也即当二极管由导通突（tū）然反向时，反向电（diàn）流（liú）由很大衰减到接近IR时所需（xū）要（yào）的时间。大功率开（kāi）关管（guǎn）工作在（zài）高频开关状态时（shí），此项指标至为重（chóng）要。

9. 最大（dà）功率P

二极管中有电流（liú）流过（guò），就会吸热，而使自身温度升高。最大功率（lǜ）P为（wéi）功率（lǜ）的最大值。具体讲（jiǎng）就是加在二极管两端的电压（yā）乘以（yǐ）流（liú）过的电（diàn）流。这（zhè）个极（jí）限参数对稳压（yā）二极（jí）管，可变（biàn）电阻二（èr）极管显得特（tè）别（bié）重要（yào）。

三.几种常（cháng）用二极管的（de）特点

1．整流（liú）二（èr）极（jí）管

整流二极管（guǎn）结构主要是平面接触型（xíng），其特点是允许通过的电（diàn）流比较大，反（fǎn）向击（jī）穿电压比较高，但PN结电容比较大（dà），一般广泛应用（yòng）于处理（lǐ）频率不高的（de）电路中。例如整（zhěng）流（liú）电路（lù）、嵌位电路、保护电路等（děng）。整（zhěng）流二极（jí）管在使用中主要（yào）考虑的问（wèn）题是最大整流电流和最（zuì）高反（fǎn）向工（gōng）作电压（yā）应大于实际工作（zuò）中的值。

2．快（kuài）速二极管

快速二极管的（de）工作原（yuán）理与普通二极（jí）管是相同的，但（dàn）由于普通二极（jí）管工（gōng）作在开关状态下的反向（xiàng）恢复时间较长，约4～5ms，不能（néng）适应高频开关电路的要求。快速二极（jí）管主要应用于高频整流电路、高（gāo）频（pín）开关电源、高频阻容吸收电路、逆变电路等，其反向恢（huī）复时间可达10ns。快速（sù）二极管主要（yào）包括快恢（huī）复（fù）二极（jí）管和肖特（tè）基二（èr）极（jí）管。

快恢（huī）复二极（jí）管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向（xiàng）恢复时间短特点（diǎn）的半导（dǎo）体二极（jí）管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器（qì）等（děng）电子电路中（zhōng），作为高频（pín）整流二极管（guǎn）、续（xù）流二极（jí）管或阻尼二（èr）极管（guǎn）使用。 快恢复二极管在制造上（shàng）采用掺金、单纯的扩散等工艺，可获得较（jiào）高的开关速（sù）度，同时也能（néng）得到较高的耐压。快恢复二极管的内（nèi）部结（jié）构与普（pǔ）通PN结二（èr）极管不（bú）同（tóng），它属于PIN结型二（èr）极管，即在（zài）P型硅材料（liào）与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基（jī）区很薄（báo），反向（xiàng）恢（huī）复电（diàn）荷很小，所以（yǐ）快恢复二极（jí）管的反向恢复时间较短，正（zhèng）向压降较低，反向击（jī）穿电压（耐压值）较高（gāo）。目前快（kuài）恢复二极管主要应用在逆变电（diàn）源中作（zuò）整流元件，高频电路中的（de）限（xiàn）幅、嵌位等（děng）。

肖（xiāo）特基（Schottky）二极管也（yě）称肖特基势垒二极管（简称SBD），是（shì）由金属（shǔ）与半导体接触形（xíng）成（chéng）的势垒（lěi）层为基础制成（chéng）的（de）二极管，其主要特（tè）点（diǎn）是正向导通压降（jiàng）小（约（yuē）0.45V），反向恢复时间短（duǎn）和开（kāi）关损耗小（xiǎo），是一（yī）种低功耗、超高速半（bàn）导体器件，广（guǎng）泛应用于开（kāi）关电源、变频器、驱动（dòng）器等电路，作高频、低压、大电流整流二极（jí）管、续（xù）流二极管（guǎn）、保护二（èr）极管使用（yòng），或在微波通（tōng）信等（děng）电路中作整流二极管、小信号检（jiǎn）波二极管使（shǐ）用。肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区（qū）别，它（tā）的内部（bù）是（shì）由阳（yáng）极金属（用钼或铝等材料（liào）制成的阻挡层）、二氧化硅（guī）（SiO2）电（diàn）场消（xiāo）除材料、N-外延层（砷材料）、N型（xíng）硅基（jī）片、N+阴极层及阴极金属（shǔ）等构成，如图（tú）所示。在（zài）N型基片和阳极金属之间（jiān）形（xíng）成肖特（tè）基势垒（lěi）。当在肖（xiāo）特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其（qí）内阻变小（xiǎo）；反之，若在肖特基（jī）势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内（nèi）阻变大。

肖特基二极管存在的问题是（shì）耐（nài）压比（bǐ）较低，反向漏（lòu）电流（liú）比（bǐ）较大。目前（qián）应用在功率变换电路中的肖特基二极管的（de）大体水（shuǐ）平（píng）是耐（nài）压在（zài）150V以下，平均电流（liú）在100A以（yǐ）下，反（fǎn）向（xiàng）恢复（fù）时间在10～40ns。肖特基二极管应（yīng）用（yòng）在高频低压电路中（zhōng），是比较理（lǐ）想（xiǎng）的。

3．稳压二极管

稳压二（èr）极管是利用PN结反向击（jī）穿特（tè）性所表（biǎo）现（xiàn）出的稳压性能制成的器（qì）件。稳压二（èr）极管也（yě）称齐纳二极管或反向击（jī）穿二极管（guǎn），在电（diàn）路中起稳定电压作用。它是利用二极管（guǎn）被反向击穿（chuān）后，在（zài）一定反（fǎn）向电流范围内反（fǎn）向电（diàn）压不随反向电（diàn）流变化这一（yī）特点进行稳压的。稳压二极管通常由（yóu）硅半导体材料采用合金法或扩散法制成。它既具有普（pǔ）通二极管（guǎn）的单向导电特性（xìng），又可工作于反向击穿状态。在反向（xiàng）电压较低时，稳（wěn）压二极管（guǎn）截止；当（dāng）反（fǎn）向电压（yā）达到一定数值（zhí）时（shí），反向电流突然增大，稳压（yā）二极（jí）管（guǎn）进入击穿区，此时即使反向（xiàng）电流在（zài）很大范围内变化（huà）时，稳压二极管两端的反向电压也能保持基本（běn）不变。但若（ruò）反（fǎn）向电流增（zēng）大到一定（dìng）数值后，稳压二极管则会被彻底击穿而损（sǔn）坏（huài）。

稳压二极管根据其封装（zhuāng）形式、电（diàn）流容量、内部结构的不同（tóng）可以（yǐ）分为多种类型。稳压（yā）二极（jí）管（guǎn）根据其封（fēng）装（zhuāng）形式可分为金属外壳封（fēng）装（zhuāng）稳压（yā）二（èr）极管、玻璃封装（简称玻封）稳压二极管和塑料（liào）封（fēng）装（简称塑封）稳压二极管。塑（sù）封稳压二极（jí）管又（yòu）分为有引（yǐn）线型和表面封（fēng）装两种类型。

稳压管的主要参（cān）数有：①稳压值VZ 。指当（dāng）流过稳压管（guǎn）的电流为某一规（guī）定（dìng）值（zhí）时（shí），稳（wěn）压管两端的压降（jiàng）。②电压（yā）温度系数 。稳压管的稳压值VZ的温度系数在VZ低于4V时为（wéi）负温度（dù）系数（shù）值；当VZ的值大于（yú）7V时，其（qí）温度系数为正（zhèng）值；而VZ的值（zhí）在6V左右（yòu）时，其温度系数近似（sì）为零。目前低温度（dù）系数的（de）稳压管（guǎn）是（shì）由（yóu）两（liǎng）只稳（wěn）压管反向串联而成，利（lì）用两只稳压管处于正反向工作状态时具有正（zhèng）、负（fù）不同的温度（dù）系数，可得到很好的温度补偿。③动态电阻rZ。表示稳压管稳压（yā）性能的优劣，一（yī）般工作电流（liú）越大（dà），rZ越小。④允许（xǔ）功耗PZ。由稳压管允许达（dá）到的温升决定，小功率稳（wěn）压（yā）管的PZ值为100～1000mW,大功率的可达（dá）50W。⑤稳定电流IZ。测试稳（wěn）压（yā）管参数（shù）时所加的电流。实际流过稳压管（guǎn）的（de）电流低于IZ时仍（réng）能稳压，但rZ较大。

稳压管的最主要的用途是稳定电（diàn）压。在要求精度不高、电流变化范围不大的情况下，可选与需要的稳压值最为接近的稳压管直接同负载并联。在稳压、稳（wěn）流电源系统（tǒng）中一般作基准电源，也有在（zài）集（jí）成运放中作（zuò）为直流电平（píng）平（píng）移。其存在的缺点是（shì）噪声系数较高，稳定性较差。