经常遇到（dào）有（yǒu）人把晶振（zhèn）的负载电容与外接电（diàn）容混淆，甚至还（hái）有人误以为（wéi）这是指同样（yàng）的参数。这（zhè）里需要特别指出的是（shì）：若你这样想，就大错特错（cuò）了（le）。

下面就（jiù）为您进行分析与区分：

负载电容指的是（shì）晶振的一（yī）个（gè）内（nèi）部重要电气（qì）参数。

一般（bān）情况（kuàng）下，对功耗（hào）不太敏（mǐn）感的（de）电子设备（bèi）上，常见的（de）晶振（zhèn）负载电容为 15PF、18PF、20PF。

那么，诸（zhū）如（rú）腕表（biǎo）、手机、蓝（lán）牙耳机等（děng）对低功（gōng）耗（hào）明显有较高需求的电（diàn）子产品（pǐn）上常采用的为负载电容较小的晶振，比如6PF、7PF、9PF、10PF、12PF。

晶振的负载电容在生（shēng）产环节已经根（gēn）据需（xū）求（qiú）通过（guò）加工工艺（yì）锁定，在（zài）应用中（zhōng）无法更改。

晶振（zhèn）的外接电容是指（zhǐ）在PCBA板上分别与晶（jīng）振频率输入脚与输出脚串联的电子元件。外接（jiē）电容值（zhí）的大小由晶振（zhèn）负载电容与电（diàn）路板（bǎn）杂（zá）散电容(包括IC电（diàn）容在内（nèi）)所（suǒ）决定，通常为这两者之和。

在振荡电路应用中，晶振负载电容、杂散电容与外接电容之间（jiān）的关系示意图（tú）如下：

注：

1、 CL: 石英晶体谐振器（qì）的负载电容。

2、CS: 指杂散电容，包括IC内部的杂散容值、电路板布线间的电容量（liàng）、PCB板（bǎn）各层之间（jiān）的寄生（shēng）电（diàn）容等。

3、C1 和 C2:分别（bié）指石英晶体谐振（zhèn）器在电（diàn）路应用中的（de）两颗外接电容。

外（wài）接（jiē）电容的应用目（mù）的有（yǒu）两个：

针对晶振频（pín）率进行微调（diào），使（shǐ）其尽量靠（kào）近目（mù）标频（pín）率。规则：外（wài）接电容越大，晶振输出频率越偏负向。反之，外接电容越小，晶振输出频率则（zé）趋于正向变化。

外接电容可（kě）以（yǐ）起到对（duì）振荡（dàng）电路的稳定作用。这（zhè）也是为何建议（yì）在（zài）晶振频率输入脚与输出脚（jiǎo）分别加一颗同值（zhí）电容的原因（yīn）。

最（zuì）后需要（yào）提醒两点：

1、外接电（diàn）容所起到的作用仅（jǐn）仅是对晶振（zhèn）频（pín）率进行微调。若晶（jīng）振工作时频偏过大，就需（xū）要考虑晶振本身精度的（de）原（yuán）因，比如晶振精度是否不能满足（zú）芯片（piàn）要求而更改为精度更高的晶振。

2、外（wài）接电容仅（jǐn）用于无源晶振的应用。在有源晶振的电路应用中，无需外接电容。