1、IGBT的（de）概念

IGBT，绝缘栅双极型（xíng）晶体管，是由(BJT)双（shuāng）极型三极管（guǎn）和（hé）绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控半导体器件, 兼有(MOSFET)金氧半场效晶体（tǐ）管（guǎn）的高输入阻抗和电力（lì）晶（jīng）体管(GTR)的（de）低导通压降两方面的（de）优点。
2、IGBT的结构

下（xià）图为一（yī）个N沟（gōu）道增（zēng）强型（xíng）绝缘（yuán）栅双极晶体管（guǎn）结构， N+区（qū）称（chēng）为源区，附于（yú）其上的电极称为（wéi）源极(即发射极E)。N基极称为漏区。器件的控制（zhì）区为栅（shān）区，附（fù）于（yú）其上的电极称为栅极（jí）(即门极G)。沟道在（zài）紧靠栅区边界形成。在（zài）C、E两（liǎng）极之间的P型区(包括P+和P-区)(沟（gōu）道在该（gāi）区域（yù）形（xíng）成)，称为亚沟道（dào）区(Subchannel region)。而在漏（lòu）区另一侧的（de）P+区称为（wéi）漏注入区（qū）(Drain injector)，它是IGBT特有（yǒu）的功能区（qū），与漏区和亚沟道区一起形（xíng）成PNP双极晶体管，起发射（shè）极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以（yǐ）降低器件的通态电（diàn）压。附于漏注入区上的电（diàn）极称为漏极(即（jí）集电极C)。

3、IGBT工作原理

IGBT有N沟（gōu）道型和P沟道型两种，主流的N沟道IGBT的电路图（tú）符号及其（qí）等效电路如下：

所以整个过程就很简单：

当（dāng）栅极G为高电平时，NMOS导通，所以PNP的（de）CE也导通，电流从CE流过。

当栅极（jí）G为低（dī）电平时，NMOS截止，所以PNP的CE截止，没有电流流过。

4、IGBT的优点

IGBT晶体管具有更高的电压和电（diàn）流处理能（néng）力；极高的输入阻抗；可以使用非（fēi）常低的电压切换非常高的（de）电流；电压控制装置，即它没有输入电流和低输入损耗；具有非常低的导通电阻；具有高电流密度，使其能够具有更小的芯片（piàn）尺寸；可以使用低控制电压切（qiē）换高电流电平（píng）。